9月1日消息，据国外媒体报道，惠普称，海力士半导体已经同意帮助惠普商品化生产一种用于内存芯片的新构件以及使用这种构件的产品。

惠普已经用了10多年的时间研制这种微型组件。惠普把这个组件叫作“忆阻器”（也就是内存电阻器的简称）。惠普预计这种芯片将成为存储海量数据的基础，比目前内存芯片中的晶体管存储更多的数据。

韩国的海力士半导体已经是一家主要的内存芯片厂商。惠普说，海力士同意与它共同开发忆阻器并且把这种产品从实验室推向市场。这两家公司将在新材料和生产工艺等方面进行合作开发这种产品。他们把这种产品叫作ReRAM（阻变存储器）。

他们的目标是创建新一类通用内存芯片，不仅取代闪存芯片，而且还将取代DRAM内存芯片。

惠普信息和量子系统实验室创始人经理和高级研究员Stanley Williams说，选择海力士的部分原因是海力士还没有选择未来的内存技术。其它公司已经向其它技术进行了大量的投资。因此，他们不愿意开始开发另一个新技术。

Williams说，惠普在实验室里已经制作出3纳米那样小的忆阻器电路。但是，惠普与海力士生产的第一个产品将在3年之内推出。这种芯片的电路尺寸为22纳米，与那个时候的传统内存芯片相同，但是，存储数据的容量将增加一倍。

Williams说，惠普还希望忆阻器将用于创建逻辑电路。这是微处理器和其它具有开关或者计算功能的芯片的基础。这可能需要10年的时间。