东芝宣布其已开始大规模生产24纳米NAAD闪存芯片，此举将令公司产能提到提升并获得更多成本效益，目前智能手机等产品热销令此类芯片需求大增。

综合媒体8月31日报导，日本东芝(Toshiba Corp.)31日宣布其已开始大规模生产高密度NAND闪存芯片，其芯片电路线宽为24纳米，对比目前一代芯片为32纳米。

此次工艺升级使得东芝能以相同尺寸硅芯片生产更多芯片，这意味着公司产能得到提升，其生产过程更具成本效益。

眼下，智能手机和平板设备、尤其是苹果公司(Apple Inc.)的iPhone与iPad产品热销使得NAAD闪存芯片需求获得增长，东芝正是在此背景下向下一代工艺技术迁移。

NAAD闪存芯片广泛用于手机、数码相机及其他消费电子产品