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[资讯] DRAM厂今年资本支出共1,001亿元新台币 |
发布日期:2010-07-13 10:43 |
[资讯] DRAM厂今年资本支出共1,001亿元新台币
力晶(5346)公布今(2010)年资本支出达120亿元,而南科(2408)、华亚科(3474)因为42奈米制程提前,可能提前挪用2011年资 本支出额度,加上利基型DRAM大厂华邦电(2344)已经上修今年度资本支出,使得今年国内5家DRAM厂资本支出金额攀升至1,001亿元,较年初预 期得更高。
力晶上周公布今年度资本支出将达120亿元,其中33%会用于45奈米制程升级,除持续偿还债务降低负债比外,力晶9月后会发行GDR筹措资金。
美光阵营的南科、华亚科则因为42奈米制程提前,会挪用2011年的资本支出,使得2010年的资本支出有上修机会,目前南科规画的资本 支出为220亿元,而华亚科的资本支出为520亿元,两家公司将在本月21日举行法说会,除了公布财报外,会提前动用多少资本支出也会明朗。
华邦电则早在今年首季就调高资本支出,然由于NOR Flash市况超乎预期,因此第2季法说会二度追加资本支出至81亿元,与原订的资本支出相较,增幅高达24.6%,也是首家二度上修资本支出的DRAM厂;茂德资本支出预估则为50至60亿元。
在5家DRAM厂资本支出敲定下,合计规模已超过1,000亿元,达1,001亿元规模,值得注意的是,1,000多亿元的资本支出均用于制程提升,未见新厂扩建,此举有助于供需平衡 |
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