Memory card,Nand flash IC,Mobile MCP,DRAM,SDRAM—晶电国际
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DRAM价格去年下半年起涨,随三星、海力士陆续提高资本支出,预计新产能开出的时间点,将落在明年底至2012年上半年,现阶段,除了力晶(5346)及瑞晶单季开始获利外,法人预估,南科(2408)及华亚科(3474)第3季亦可望转亏为盈。
DRAM业者指出,过去DRAM产业约每5年为1个景气循环,其中2年为景气上升段,3年为景气下坡段,而过去10年因为制程演进、新厂扩建,平均每个bit,每年价格跌掉约33%,这一波价格上涨,从去年下半年以来开始,到明年大约已经2年,如果产业态势不变,DRAM的供给最快在 2011年底,或是2012年,就会比较宽松。
而DRAM产业龙头三星,宣布的新生产线Line16才刚动土,最快产能贡献时间点落在明年的9月之后,也就是旺季末,因此业者认为对 2011年的供需影响应不至于太大,主要影响会落在2012年。此外力晶则指出,三星该条新的生产线以38奈米制程为主,产品不会大量灌入标准型DRAM 上,2012年之后对DRAM产业的冲击还需要观察。
根据调查机构观察过去几波DRAM景气循环,以往DRAM的景气循环分布,呈现景气下沉1年,上扬4年的情况,近年却呈现下沉3年、上扬3年的分布,因此这一波景气从2009年第4季上涨起算,走到下一波起跌点也大约在2012年左右。
此外,根据顾能(Gartner)、WSTS的归纳,从1980年代到2007年中,DRAM产业经过5波景气循环,从1990年代中期开始,景气循环出现down turn拉长的情况,在此之前约维持下沉1年,上扬4年的比率,然而从1995年开始,景气下沉段开始拉长,第4波、第5波循环分别出现于1995年至 2000年,及2000年至2007年,上下景气波段约呈现3年比2年、2年比4年,而从2007年以来的第6波循环中,已走完3年景气下沉,预估从 2010年开始,将维持3年的景气上升段。
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